Оперативная память для сервера

Сравнение товаров (0)
Оперативная память DDR4 16 Гб 2933MHz PC-23400 Samsung ECC Reg
Оперативная память DDR4 16 Гб 2933MHz PC-23400 Samsung ECC Reg
Наличие:

Производитель Samsung | Код производителя M393A2K40DB2-CVF |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Samsung ECC Reg
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Samsung ECC Reg
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 64 Гб DDR4 3200MHz Crucial ECC Reg [CT64G4RFD432A]
Оперативная память 64 Гб DDR4 3200MHz Crucial ECC Reg [CT64G4RFD432A]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 22 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 32 Гб DDR4 3200MHz Crucial ECC Reg [CT32G4RFD832A]
Оперативная память 32 Гб DDR4 3200MHz Crucial ECC Reg [CT32G4RFD832A]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 22 | Вес 0.1 кг | Напряжение питания 1.2 В |
Оперативная память 32 Гб DDR4 2933MHz Samsung ECC Reg
Оперативная память 32 Гб DDR4 2933MHz Samsung ECC Reg
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 21 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2933MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFS8293]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2933MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFS8293]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 21 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Transcend ECC [TS1GLH72V6B]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Transcend ECC [TS1GLH72V6B]
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Transcend | CAS Latency (CL) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Samsung ECC
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Samsung ECC
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Samsung | CAS Latency (CL) 19 | RAS to CAS Delay (tRCD) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Kingston ECC Reg [KSM26RS8/8HAI]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Kingston ECC Reg [KSM26RS8/8HAI]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 19 | RAS to CAS Delay (tRCD) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFS8266]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFS8266]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFD8266]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2666MHz Crucial ECC Reg [CT8G4RFD8266]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 19 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Transcend ECC [TS1GLH72V4B]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Transcend ECC [TS1GLH72V4B]
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Transcend | CAS Latency (CL) 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) 17 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Kingston ECC [KVR24E17S8/8]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Kingston ECC [KVR24E17S8/8]
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Kingston | CAS Latency (CL) 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) 17 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Kingston ECC Reg [KVR24R17S4/8]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2400MHz Kingston ECC Reg [KVR24R17S4/8]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) 17 | Напряжение питания 1.2 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR4 2133MHz Transcend ECC Reg [TS1GHR72V1HL]
Оперативная память 8 Гб DDR4 2133MHz Transcend ECC Reg [TS1GHR72V1HL]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) 15 | Напряжение питания 1.2 В | Низкопрофильная (Low Profile) да |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC [TS1GLK72W6H]
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC [TS1GLK72W6H]
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Transcend | CAS Latency (CL) 11 | Напряжение питания 1.35 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC [TS1GLK72V6H]
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC [TS1GLK72V6H]
Наличие:

Поддержка ECC да | Производитель Transcend | CAS Latency (CL) 11 | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC Reg [TS1GKR72V6H]
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Transcend ECC Reg [TS1GKR72V6H]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 11 | Напряжение питания 1.5 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Samsung ECC Reg 1.35V
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Samsung ECC Reg 1.35V
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 11 | Напряжение питания 1.35 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Crucial ECC Reg [CT8G3ERSLS4160B]
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Crucial ECC Reg [CT8G3ERSLS4160B]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 11 | Напряжение питания 1.35 В | Гарантия 12 месяцев |
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Crucial ECC Reg [CT8G3ERSLD8160B]
Оперативная память 8 Гб DDR3 1600MHz Crucial ECC Reg [CT8G3ERSLD8160B]
Наличие:

Буферизованная (Registered) да | Поддержка ECC да | CAS Latency (CL) 11 | Напряжение питания 1.35 В | Гарантия 12 месяцев |
Показано с 1 по 21 из 71 (всего 4 страниц)
Информация о ценах товара и комплектации указанная на сайте не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Если у вас не получается оформить заказ, нужна помощь в выборе или есть иные вопросы.
Звоните - всегда поможем - 8 (495) 235-88-35.
Также вы можете Заказать обратный звонок - это совершенно бесплатно, мы сами вам перезвоним!
Cвязаться с нами
Телефон
8 (495) 235-88-35
E-mail
zakaz@gansor.ru
WhatsApp
8 (926) 775-75-35